用于模拟理想二极管的单向导电特性（即正向导通时无压降，反向截止时无漏电流），同时克服实际二极管的固有缺陷（如正向压降、反向漏电等）。采用高精度模拟控制器设计的理想二极管模块，使用低Rdson 的MOS管代替了传统的二极管，最大限度地降低了电源到负载的功耗。同时阻止反向电流倒灌, 为带有后备电池供电需求的供电系统提供了更加简单可靠的解决方案。
多年以来，肖特基二极管广泛用于电源系统设计，可在各种输入电源故障条件下提供保护，并通过并联电源提供系统冗余。 汽车电源系统设计使用功率肖特基二极管，可在电池反向和各种汽车电气瞬变条件下提供保护。工业系统传统上 采用肖特基二极管提供反极性保护以防止现场电源接线错误，并提供对雷电和工业浪涌的抗扰能力。 常用的工业系统、电信服务器、存储和基础设施设备均采用肖特基二极管来提供系统冗余，或通过对两个或更多 电源采用 ORing 电路来增加功率容量。然而，肖特基二极管的正向压降会在大电流下产生显著的功率损耗，从而 更需要使用散热器和更大 PCB 空间来进行热管理。正向传导损耗和相关的热管理会使效率降低，并使系统成本和 空间增加。随着系统功率水平的提高以及功率密度需求的增加，肖特基二极管不再是新一代高性能系统设计的优 先选择
1.Feature(特性)
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2. 应用 (application)
2.1反向电池保护
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对比传统二极管的优势：
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2.2 供电冗余(PSU N+1)及增加供电容量
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对比传统二极管的优势：
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3. 选型注意事项
- 电压/电流等级：需匹配系统需求。
- 导通电阻（R<sub>DS(on)</sub>）：决定正向压降和热损耗。
- 切换速度：高频应用需关注响应时间。
- 封装与散热：大电流应用需考虑热管理。
