以下用到的SPEC参数是Rohm的NMOS管RE1C001UN
定义：热阻指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W或者是K/W。半导体散热的三个途径，封装顶部到空气，封装底部到电路板，封装引脚到电路板
Tj：芯片结温，Ta：芯片环境温度，热阻ThetaJA = (Tj-Ta)/P
还有一些其他的热阻参数如下：
ThetaJA=(Tj-Ta)/P，结到空气环境的热阻。
ThetaJC=(Tj-Tc)/P，结到封装外壳的热阻，一般而言是到封装顶部的热阻，所以一般的，ThetaJC = ThetaJT
ThetaJB=(Tj-Tb)/P，结到PCB的热阻。
PD@TA=25°CPowerDissipation3.8W
PD@TC=25°CPowerDissipation180W
简单的说，你这个产品在室温环境下（25℃）只能去到3.8W,
但如果你给良好的散热条件，保证产品是25℃，它只扛住180W.
Power dissipation：功率损耗，指的是NMOS消耗功率不能超过150mW
Junction temperature：结温，结面温度，指的是NMOS最高结温不能超过150℃
Thermal resistance：热阻，如下的833℃/W指的是NMOS结面相对于环境温度的热阻是833℃/W，假如器件消耗的功率是1W，那温升就是833℃
